国产氟化氩193nm光源光刻机的世界地位如何?

第一，工信部官宣国产光刻机三大指标：193纳米波段，分辨率65纳米，套刻小于等于8纳米。

第二，这个官宣是我看到的最科学的，没有资本作秀的（注意资本作秀）的技术指标。

我为什么这样说，因为我们在舆论界，在中国科学院上海光机所召开的国际光刻机会议论文集中，也只有几纳米制程，没有提及分辨率和套刻！甚至科学院研究所的论文居然把制程解释成分辨率，大大夸大了光刻机制造是神不可涉及的效果。那年科学院院长白春礼在舆论上公开要集科学院之力开发光刻机，我曾经发网文告诫科学院，你们应该把制程这个名词搞懂了，果然一个科学院那个年代搞不懂！

第三，工信部官员的光刻机本身达到了世界水平，套刻达到了8纳米，这个是不是制程？我猜可能还不是MOS管的栅极宽度，仅仅是晶体管密度达到了所谓的9纳米制程。

这个足够了，我们不要纠集那些制程，3，5，7纳米制程并不等于晶体管的密度等比增加，密度的提高和更不等于半导体应用系统性能就会提高。

第四，工信部这次官宣，终于没有按照国际惯例的指标官宣，这是一个划时代的变化。历史将会说明一切！