“ 罗姆（ROHM） 今年发布了他们的第 4 代 (Gen 4) SiC MOSFET 产品。声称“通过进一步改进原始的双沟槽结构，在不牺牲短路耐受时间的情况下，将单位面积的导通电阻比传统产品降低 40%，此外，与上一代 SiC MOSFET 相比显著降低了寄生电容，从而使得开关损耗降低了 50%”。 ” 罗姆（ROHM） 今年发布了他们的第 4 代 (Gen 4) SiC MOSFET 产品。新系列包括额定电压为 750 V（从 650 V 提升而来）和 1200 V 的 MOSFET，以及 56A/2…